Полная версия

Главная arrow Информатика arrow Архитектура ЭВМ и систем

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>

Маркировка микросхем

На микросхемы памяти наносится маркировка, содержащая информацию о фирме-производителе, типе памяти, объеме и организации матрицы, быстродействии, напряжении питания, дате изготовления и другую служебную информацию. Маркировки микросхем различных производителей не стандартизованы. В качестве примера на рис. 10.12 представлена расшифровка маркировки микросхем фирмы LG (бывшей Goldstar).

Организация памяти

Оперативная память имеет модульную структуру. Каждый модуль представляет собой печатную плату, на которой расположены микросхемы динамической памяти DRAM. Количество и тип микросхем определяются требуемой разрядностью и объемом хранимых данных. Современные модули памяти имеют шину данных с разрядностью 1, 4 или 8 байт. Кроме основных информационных

Пример маркировки микросхемы

Рис. 10.12. Пример маркировки микросхемы

бит модули могут содержать дополнительные контрольные биты с различной организацией.

Кроме микросхем DRAM, на плате модуля устанавливаются дополнительные компоненты и микросхемы, например:

  • миниатюрные конденсаторы для сглаживания кратковременных скачков напряжения, чтобы предотвратить выход из строя микросхемы;
  • • так называемые резисторы PRD (Presence Detect – выявление присутствия) для выдачи информации о времени доступа, емкости модуля и других параметрах;
  • • микросхема энергонезависимой памяти для последовательной идентификации модуля (Serial Presence Detect – SPD). В ней записаны характеристики микросхем динамической памяти, необходимые BIOS для правильной конфигурации системы. Кроме того, в SPD находится информация о производителе;
  • микросхемы буфера ввода-вывода.

Модули располагаются на материнской плате вертикально в специальных разъемах, или слотах. Они организуются в группы, называемые банками. Банк содержит 2 или 4 модуля и должен быть заполнен. Количество банков зависит от разрядности системной шины и модулей памяти.

Кроме основных информационных бит модули могут иметь дополнительные контрольные биты с различной организацией (табл. 10.2).

Таблица 10.2

Тип модуля

Организация контроля

non Parity

Модули без контрольных бит имеют разрядность 8, 32 или 64 бита. Допускают независимое побайтное обращение с помощью отдельных для каждого байта линий CAS#

Parity

Модули с контролем паритета имеют разрядность 9, 36 или 72 бита. Допускают независимое побайтное обращение. Контрольные биты по обращению связаны с соответствующим байтом

Parity Generator, Fake Parity, Logical Parity

Модули с генератором паритета (с фиктивным контролем) – действительного контроля памяти не обеспечивают; допускают независимое побайтное обращение; логические генераторы паритета по чтению приписаны к соответствующим байтам

ECC

Модули с контролем по схеме имеют разрядность 36, 40, 72 или 80 бит; обычно допускают побайтное обращение к информационным битам; контрольные биты привязаны к одному или нескольким сигналам CAS#, поскольку ЕСС подразумевает обращение сразу к целому слову

Рассмотрим некоторые типы модулей оперативной памяти.

DIMM -модули (Dual-In-line-Memory Module). Стандартный модуль памяти DIMM имеет 168 независимых печатных выводов, причем контакты 1–84 расположены с фронтальной стороны, контакты 85–168 – с тыльной (рис. 10.13). Модули памяти DIMM обычно содержат микросхемы SDRAM или EDO DRAM и отличаются друг от друга физическими характеристиками. На каждой стороне платы DIMM расположены различные выводы сигнала. Именно поэтому они называются модулями памяти с двухрядным расположением выводов.

Модули выпускаются для напряжения питания 3,3 и 5 В. Толщина модулей с микросхемами в корпусах SOJ не превышает 9 мм, в корпусах TSOP – 4 мм. Модули устанавливаются на плату вертикально в спе-

Модуль DIММ

Рис. 10.13. Модуль DIММ

циальные разъемы (слоты) с ключевыми перегородками, задающими допустимое питающее напряжение и тип (поколение) применимых модулей. Объем памяти модулей на микросхемах емкостью 4–64М бит имеют от 8М до 512М байт.

Выпускаемые в настоящее время модули второго поколения имеют ряд отличий [11].

RIММ – модули (Rambus In-line Memory Module). Этот модуль памяти имеет 184 контакта и с обеих сторон закрыт металлическим экраном, защищающим его от наводок и взаимного влияния модулей, работающих на больших частотах (рис. 10.14). Модули R1MM имеют два ключа, которые предотвращают неправильную установку в разъем и указывают рабочее напряжение. Модуль предназначен для установки на материнские платы, имеющие соответствующий контроллер для поддержки канала Direct Rambus и высокоскоростную 16-разрядную шину памяти, работающую на тактовой частоте 400 МГц.

Модуль RIMM

Рис. 10.14. Модуль RIMM

Маркировка модулей памяти наносится производителем и представляет собой совокупность символов. Каждый символ дает описание какого-либо параметра или характеристики, например фирма-изготовитель модуля, тип микросхемы, дата выпуска, организация памяти, быстродействие, время доступа и др. Отсутствие промышленного стандарта на маркировку модулей приводит к тому, что часто вместо маркировки на модуле обозначается лишь логотип производителя, страна-производитель или номер партии.

 
<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>